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Samsung dévoile trois nouvelles technologies mémoire pour data centers IA
zHBM, zNAND-O et BV-NAND misent sur des techniques avancées de wafer bonding pour booster capacité et bande passante.
Hacker News (filtré IA)·@peter_d_sherman·8 août 2026
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Samsung a présenté trois technologies mémoire de nouvelle génération destinées aux data centers IA : zHBM, zNAND-O et BV-NAND. Toutes reposent sur des méthodes avancées de collage de wafers (wafer bonding) pour augmenter densité et performances. Ces innovations visent à répondre à la demande croissante en mémoire haute performance pour l'entraînement et l'inférence IA.
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